Diod
Binaan dan Simbol Skematik Diod
·
Struktur Binaan bagi diod adalah sama
dengan cantuman P-N. ( Unit 2 )
·
Diod ialah komponen elektronik dua pin
yang terdiri dari anod dan katod.
·
Anod adalah bahan jenis P dan katod
bahan jenis N.
·
Arah anak panah (anod) pada simbol diod menunjukkan arah arus
konvensional.
Rajah menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik
Voltan
Pincang
·
Voltan yang dikenakan merentasi diod
dipanggil Voltan Pincang
· Dengan merujuk rajah 3.2, apabila anod mendapat voltan lebih positif dari
katod atau katod mendapat voltan
lebih negatif dari anod, diod dikatakan berada dalam keadaan pincang depan.
· Apabila anod mendapat voltan lebih negatif dari katod atau katod mendapat voltan lebih positif dari
anod, diod dikatakan berada dalam keadaan pincang songsang.
Lengkok
Cirian I-V bagi Diod
Apabila
suatu diod dipincang depan dan dipincang songsang, di mana setiap nilai voltan
pincang itu dicatat, dan bagi tiap-tiap nilai voltan pincang itu dicatat juga
nilai-nilai arus yang mengalir melalui diod itu, maka suatu graf Lengkok Cirian I-V bagi diod akan
terhasil .
·
Arus
Depan (Id) ialah arus yang mengalir melalui diod
semasa pincang depan. Biasanya Id diukur dalam mA.
·
Arus
Songsang (Is) ialah arus yang sangat kecil iaitu
arus bocor yang mengalir melalui diod semasa pincang songsang. Biasanya Is
diukur dalam mA.
·
Voltan
Lutut ialah takat voltan di mana berlakunya
kenaikan arus depan yang tiba-tiba. Voltan lutut sama dengan voltan sawar. ( Si = 0.7 V, Ge
= 0.3 V )
·
Voltan Pecah Tebat ialah takat voltan di mana berlakunya kenaikan arus
songsang yang tiba-tiba. Arus yang besar melampaui takat pecahtebat boleh
menyebabkan cantuman PN terbakar dan rosak.
Konsep Diod Unggul
·
Semasa diod
beroperasi, ciri-ciri dalam diod akan menyulitkan kerja-kerja menganalisa
litar-litar elektronik. Ciri-ciri tersebut ialah :-
a.
Voltan Sawar
b. Arus Depan
c. Arus Songsang ( arus bocor )
·
Dalam konsep diod
unggul, diod dianggap tidak mempunyai voltan sawar, tiada arus bocor, tiada
kerintangan depan ( rd )dan tiada takat pecah tebat.
Keistemewaan Diod Siri
Diod mempunyai fungsi unik yang hanya boleh menjadi arus dalam satu arah sahaja. Struktur diod adalah tidak lain daripada persimpangan semikonduktor P dan N. Satu bahagian adalah semikonduktor jenis-P dan pihak yang satu lagi adalah jenis N. Oleh itu struktur aliran hanya akan dapat mengalir dari sebelah P ke sisi N yang
Diod Zener
· Diod Zener sangat penting dalam bekalan
kuasa. Ia digunakan sebagai penstabil voltan.
· Simbol bagi diod zener ialah seperi
rajah di bawah.
Lengkuk Cirian Diod Zener
·
Rajah menunjukkan lengkuk cirian
I-V bagi diod zener.
· Semasa pincang depan, lengkuk cirian
tidak banyak beza dengan diod biasa.
· Semasa pincang songsang, lengkuk
kenaikan arus pada takat pecahtebat adalah lebih tajam dan curam.
· Bezanya diod zener berbanding dengan
diod biasa ialah diod zener beroperasi semasa pincang songsang.
· Semasa pincang depan, diod zener
beroperasi seperti diod biasa.
· Di antara keistimewaan diod zener ialah
:-
Ø Ia
dibuat supaya mampu mengalirkan arus songsang yang tinggi nilainya tanpa merosakkan diod.
Ø Pada
takad zener dan selepasnya voltan merentasi diod akan tetap dan sama nilainya
dengan voltan zener.
Ø Diod
zener boleh dibuat supaya voltan zener ditentukan pada nilai yang terpilih
(2.4V - 200V).
3.2.2 Konsep Diod
Zener Unggul
· Semasa diod zener beroperasi di kawasan
zener, voltan merentasi diod itu adalah bersamaan dengan nilai voltan zener (
Vd = Vz ). Sebarang perubahan pada voltan luar akan hanya mengubah nilai arus
yang melaluinya.
Oleh
kerana itu, diod zener dianggap seperti sebuah bateri bernilai Vz.
LED
· LED ialah sejenis diod istimewa yang
mengeluarkan cahaya bila disambung dalam litar. Ia biasanya digunakan sebagai
lampu penunjuk yang menentukan samada alatan elektrik dalam keadaan “ON” dan “OFF”.
· Rajah 3.10 menunjukkan simbol skematik
bagi LED. Simbol LED hampir sama dengan simbol diod. Anak panah menghala keluar
dari cantuman P-N menunjukkan cahaya keluar dari LED.
Simbol skematik bagi LED
·
Seperti diod, LED akan beroperasi
apabila diberi voltan pincang depan. Elektron dari bahan jenis N akan bercantum
dengan hol pada bahan jenis P. Jika bahan separuh pengalir adalah Silikon dan
Germanium percantuman ini akan menghasilkan haba. Tetapi jika bahan separuh
pengalir adalah gallium arsenide ( GaAs ), gallium phosphide ( GaP ) dan gallium-ardenide-phosphide ( GaAsP )
percantuman ini akan menghasilkan cahaya. Warna cahaya adalah bergantung kepada
jenis bahan yang digunakan
GaAs = radiasi infra merah
GaP = merah atau hijau
GaAsP = merah
atau kuning
·
Led beroperasi pada voltan yang rendah
iaitu antara 1 dan 4 V dan boleh mengalirkan arus antara 10 dan 40 mA. LED juga
mempunyai voltan pecah tebat yang rendah iaitu lebih kurang 3 dan 5 V. Voltan
dan arus yang melebihi had akan merosakkan chip LED. Kecerahan LED bergantung
pada arus.
Berikut merupakan kelebihan LED :
- LED mempunyai umur penggunaan yang lebih lama dibanding lampu biasa. LED bisa mencapai keawetan hingga 100 ribu jam.
- LED mempunyai efisiensi energy yang lebih baik dibanding lampu lainnya. Bahkan LED bisa hemat energy hingga 80 – 90 persen. Selain itu LED juga memiliki tegangan DC yang rendah.
- LED mengeluarkan cahaya yang tidak panas. LED tidak mempunyai sinar UV dan energy panas.
- LED mempunyai ukuran yang praktis dan mini
- LED dikarenakan hanya membutuhkan konsumsi listrik yang sedikit maka akan membuat hemat biaya dalam hal irit biaya listrik
- LED mempunyai dampak positip bagi lingkungan dikarenakan tidak mempunyai kandungan merkuri dan tidak menambah pemanasan global dikarenakan efisiensi energy sehingga hanya membutuhkan konsumsi energy yang rendah.
Transistor
Seperti
diod, transistor juga diperbuat daripada cantuman bahan jenis N dan P tetapi
mengandungi tiga lapisan. Lapisan-lapisan itu sama ada NPN atau PNP.
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal yaitu basis (dasar), kolektor (pengumpul) dan emitor (pemancar). Secara harfiah, transistor berasal dari kata transfer resistor. Jadi pengertian transistor adalah suatu komponen yang memiliki nilai resistansi dimana antara terminalnya dapat diatur.
Transistor dapat dijumpai pada setiap barang elektronika, mulai dari lampu kedip sampai yang berharga mahal. Keberadaannya selalu berangkai dengan resistor dan kondensator. Hal ini menunjukkan antara resistor dan transistor tidak dapat dipisahkan sesuai dengan pengertian transistor. Walaupun saat ini banyak barang-barang elektronika menggunakan IC sebagai komponen utama, tetapi tidak dapat meninggalkan transistor. Dari sini sudah jelas bahwa transistor memegang peranan sangat penting.
SCR
SCR banyak digunakan sebagai peranti pensuisan di dalam
aplikasi kawalan kuasa. Struktur asas bagi SCR ia dan
simbol skematik bagi SCR ialah seperti rajah
SCR
Pengenalan
SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai
3 terminal iaitu anod, katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu
diod penerus yang mempunyai elemen kawalan.
Ciri-ciri Hadapan (Forward Pengaliran)
Anod adalah + ve w.r.t. katod
Apabila voltan bekalan meningkat daripada sifar, tiba-tiba SCR mula menjalankan => voltan pecah-lampau
Voltan jatuh pada ketika ini tiba-tiba seperti yang ditunjukkan oleh garis putus-putus.
Jika arus get sepatutnya dibuat untuk mengalir, maka SCR boleh ditutup pada voltan bekalan yang lebih kecil.
Ciri-ciri songsang
Anod adalah w.r.t. -ve katod
Pada mulanya semasa anod mengekalkan kecil (viz. Arus bocor)
Beyond voltan terbalik tertentu, SCR bermula pengaliran besar-besaran (avalanche)
Ciri Ciri SCR
Dua SCR disambungkan di seluruh pusat-ditoreh menengah, seperti yang ditunjukkan dalam rajah di atas.
Isyarat pintu untuk kedua-dua SCR dibekalkan daripada dua litar yang mengawal bekalan pintu gerbang.
Satu SCR menjalankan dalam kitaran separuh positif dan SCR lain menjalankan dalam kitaran separuh negatif.
Oleh itu semasa melalui beban akan menjadi satu arah.
Aspek yang paling penting dalam pembetulan dikawal SCR adalah bahawa proses pembetulan itu dan dengan itu output DC voltan boleh dikawal menggunakan Gate litar kawalan bekalan.
Graf yang ditunjukkan dalam rajah di atas menunjukkan kawasan berlorek dibetulkan output manakala bahagian bukan teduh menandakan ketiadaan pengaliran. Ini akan mengubah voltan keluaran
Guna SCR:
- Sebagai rangkaian Saklar (switch control) tegangan tinggi
“Dioda schottky mempunyai karakteristik “fast recovery”, (waktu mengembalikan yang cepat, antara konduksi ke non konduksi). Oleh karena karakteristiknya ini, maka banyak diaplikasikan pada rangkaian daya modus “saklar”. Dioda ini dapat membangkitkan drop tegangan maju kira-kira setengahnya diode silikon konvensional, dan waktu kembali balik sangat cepat.”
- Sebagai rangkaian pengendali (remote control)
4.1.1 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR
Dua SCR disambungkan di seluruh pusat-ditoreh menengah,
Isyarat pintu untuk kedua-dua SCR dibekalkan daripada dua litar yang mengawal bekalan pintu gerbang.
Satu SCR menjalankan dalam kitaran separuh positif dan SCR lain menjalankan dalam kitaran separuh negatif.
Oleh itu semasa melalui beban akan menjadi satu arah.
Aspek yang paling penting dalam pembetulan dikawal SCR adalah bahawa proses pembetulan itu dan dengan itu output DC voltan boleh dikawal menggunakan Gate litar kawalan bekalan.
Graf yang ditunjukkan dalam rajah di atas menunjukkan kawasan berlorek dibetulkan output manakala bahagian bukan teduh menandakan ketiadaan pengaliran. Ini akan mengubah voltan keluarantakat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti diod biasa dalam keadaan pincang songsang.
Arus
Penahan ( Holding Current ) ialah
paras di mana arus SCR berpindah dari keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
Semasa
pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan “OFF” dan “ON” ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan “OFF” , SCR bertindak seperti litar terbuka manakala semasa keadaan
“ON” SCR bertindak seperti litar
tertutup.
Semasa
pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.
DIAK
Pengenalan
Untuk
memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK yang tidak
mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2 terminal yang
dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2) sahaja. Rajah
4.8 menunjukkan simbol skematik bagi
DIAK.
DIAK
juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan. Rajah 4.9
menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod mengalirkan arus satu
arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah. Apabila MT1 positif, laluan arus ialah melalui
P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila MT2
positif, laluan arus ialah melalui P1-N2-P2-N3.
Lengkuk
Cirian I-V bagi DIAK
Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V
bagi DIAK.
Lengkuk
cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-ciri get tidak
ada.
Berlainan
dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila voltan merentasinya
melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai get yang boleh mengurangkan
voltan pecah tebat.
DIAK boleh mengalirkan arus dua arah. Oleh itu lengkuk
cirian DIAK semasa arus bertentangan arah adalah sama.
Ciri-ciri DIAC
Diak bertindak seperti litar terbuka sehingga pensuisan atau pecah-lampau voltan yang dilebihi. Pada ketika itu diak mengendalikan sehingga sekarang mengurangkan ke arah sifar (di bawah tahap semasa pegangan peranti). Diak, kerana pembinaan yang pelik, tidak menukar dengan ketara ke dalam keadaan voltan yang rendah pada paras semasa yang rendah seperti SCR atau triak. Sebaliknya, apabila ia masuk ke dalam pengaliran, diak mengekalkan ciri rintangan negatif hampir berterusan, iaitu, voltan berkurangan dengan peningkatan semasa. Ini bermakna bahawa, tidak seperti SCR dan triak, diak tidak boleh diharapkan untuk menjaga (atas) kejatuhan voltan yang kecil sehingga terjatuh semasa di bawah paras semasa yang memegang.
TRIAK
Pengenalan
TRIAK
merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah. TRIAK juga
boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.
Seperti
SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR mengalirkan
arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.
TRIAK
boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan berlawanan arah Oleh kerana Anod SCR 1 disambung dengan Katod SCR 2, maka terminal
TRIAK dilabelkan MT1 (main
terminal 1) dan MT2 (main
terminal 2). Terminal get masih digunakan pada TRIAK kerana terminal get
SCR 1 dan SCR 2 dicantumkan.
Lengkuk
Cirian I-V bagi triak
Rajah menunjukkan gambarajah
lengkuk cirian I-V bagi TRIAK.
Lengkuk
cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali semasa pincang
songsang.
Semasa
pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk semasa pincang depan tetapi
berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama dengan ciri-ciri lengkuk cirian
SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan berkurang apabila arus get bertambah.
MOSFET
Pengenalan
MOSFET
adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide
semiconductor FET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca,
parit dan get. Yang membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan
dengan saluran (channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO2).
Oleh sebab itu, arus get menjadi semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai
IGFET (insulated-get FET).
Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan
peningkatan (depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan
sahaja (enhancement-only mode).
MOSFET
Ragam Susutan Dan Peningkatan ( DE MOSFET )
DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam
peningkatan dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (VGS).
Bila VGS adalah negatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan.
Sebaliknya bila VGS adalah positif, DE MOSFET beroperasi secara
ragam peningkatan.
Rajah menunjukkan struktur binaan dan
simbol DE MOSFET.
Oksida logam semikonduktor IC (MOS IC) berdasarkan struktur MOSFET telah mendapati permohonan yang luas dalam bidang digital. Berikut adalah beberapa perbandingan dan kelebihan berbanding bipolar kad pengenalan.
1. Pengurangan saiz
MOS IC adalah lebih sesuai daripada permohonan saya bipolar IC ini seperti penyepaduan skala besar (LSI), dan penyepaduan skala sangat besar (VLSI). Ia juga digunakan dalam cip memori dan pemproses mikro. Ini kerana MOS IC ini tidak makan sebanyak permukaan apabila berbanding dengan bipolar epitaxial dua transistor disebarkan IC. Saiz boleh dikurangkan kepada hampir 5%. Konsep yang sama pergi jauh lebih baik untuk perintang MOS dengan pengurangan kawasan untuk hampir 1% berbanding dengan perintang konvensional disebarkan.
2. Mudah Proses Fabrikasi
Apabila dibandingkan dengan IC bipolar, proses fabrikasi daripada MOS IC adalah lebih mudah dan kos efektif. Keseluruhan proses ini hanya merupakan satu langkah resapan untuk membentuk sumber dan salir wilayah. Tetapi dalam proses IC bipolar hampir 4 langkah-langkah yang diperlukan. Proses fabrikasi MOS IC terdiri daripada dua kawasan N-jenis banyak didopkan yang disebarkan ke dalam kurang didopkan P-jenis substrat untuk membentuk sumber dan salir.
Metal Oxide Semiconductor Field Kesan Transistor (MOSFET) IC
Metal Oxide Semiconductor Field Kesan Transistor (MOSFET) IC
Lubang yang terukir untuk elektrod logam untuk sumber dan salir selepas lapisan silikon dioksida. Fabrikasi peranti selesai oleh penyejatan logam untuk kenalan dan untuk elektrod pintu pada masa yang sama. Konfigurasi terperinci ditunjukkan dalam rajah di bawah.
3. Crossover dan Pengasingan Kepulauan
Dengan meresapkan longkang dan sumber daripada MOS IC, crossover antara komponen yang disebarkan secara serentak. Kesan rintangan wilayah crossover disebarkan adalah agak kecil. Sebab untuk ini adalah bahawa kawasan-kawasan ini adalah dalam siri dengan perintang beban besar nilai perintah 100K biasanya digunakan dengan ini FET.
Oleh kerana, dalam MOS IC setiap sumber dan saliran diasingkan daripada satu sama lain oleh simpang PN terbentuk dalam substrat jenis-P, tidak ada keperluan untuk pengasingan antara transistor MOS. Ini adalah satu kelebihan yang besar berbanding dengan yang IC bipolar. Beberapa kelebihan lain termasuk kos rendah belian, kos pengeluaran yang rendah, penggunaan kuasa yang rendah dan ketumpatan pembungkusan tinggi.
Kelemahan hanya dari MOS IC adalah bahawa kelajuan operasi adalah kurang jika dibandingkan dengan bipolar kad pengenalan. Oleh itu, mereka tidak digunakan untuk aplikasi kelajuan yang sangat tinggi.
4.6
Transistor Ekasimpang ( UJT )
Satu
lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga transistor ialah
Transistor Ekasimpang ( Unijunction
Transistor ) atau ringkasnya dipanggil UJT.
UJT
berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbeza dengan FET
kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh mengawal kuasa AU yang besar
dengan isyarat yang kecil.
Rajah menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina
daripada satu bar semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai
sedikit saja pembawa arus majoriti, dan dari dua hujungnya diterbitkan dua
terminal Tapak. Tapak yang di atas dilabel sebagai B2 dan yang di bawah sebagai
B1.
Suatu
lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya diterbitkan
terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungi banyak pembawa
arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah seperti rajah 4.16
UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi:-
·
Kawalan fasa
·
Pensuisan
·
Pemasa
·
Penjana isyarat
Uni junction Aplikasi Transistor
Sekarang kita tahu bagaimana transistor unijunction bekerja, apa yang boleh mereka digunakan untuk. Aplikasi yang paling biasa transistor unijunction adalah sebagai alat untuk mencetuskan ini SCR dan triak tetapi permohonan UJT lain termasuk penjana sawtoothed, pengayun mudah, kawalan fasa, dan litar masa. Yang paling mudah semua litar UJT adalah Oscillator Relaksasi yang menghasilkan bentuk gelombang bukan bentuk sinus.
Dalam UJT bersantai litar pengayun asas dan biasa, terminal pemancar transistor unijunction disambungkan ke persimpangan perintang siri disambungkan dan kapasitor, litar RC seperti yang ditunjukkan di bawah.
Transistor sesimpang Relaksasi Oscillator
UJT bersantai pengayun
Apabila voltan (Vs) yang pertama digunakan, transistor unijunction adalah "OFF" dan kapasitor C1 adalah dilepaskan sepenuhnya tetapi mula mengecas dengan pesat melalui perintang R3. Sebagai pemancar UJT disambungkan kepada kapasitor, apabila voltan pengecasan Vc seluruh kapasitor menjadi lebih besar daripada nilai kejatuhan diod volt, yang berkelakuan pn sebagai diod biasa dan menjadi berat sebelah hadapan mencetuskan UJT ke dalam pengaliran. Transistor unijunction adalah "ON". Pada ketika ini pemancar untuk B1 impedans runtuh sebagai pemancar masuk ke galangan yang rendah negeri tepu dengan aliran pemancar semasa melalui R1 yang berlaku.
Sebagai nilai ohm perintang R1 adalah sangat rendah, luahan kapasitor dengan pesat melalui UJT dan denyut voltan yang maju muncul di seluruh R1. Juga, kerana nyahcas kapasitor lebih cepat melalui UJT daripada ia mengecas sehingga melalui perintang R3, masa pelepasan yang sebenarnya adalah lebih kurang daripada masa pengecasan sebagai luahan kapasitor melalui UJT rintangan yang rendah.
Apabila voltan merentasi pemuat berkurangan di bawah takat pegangan simpang pn (VOFF), UJT bertukar "OFF" dan tidak mengalir semasa ke simpang pemancar jadi sekali lagi caj kapasitor sehingga melalui perintang R3 dan caj ini dan proses antara menunaikan von dan VOFF sentiasa berulang manakala terdapat voltan bekalan, Vs digunakan.
Tiada ulasan:
Catat Ulasan